Електропроводимостта на металите се дължи на свободните електрони, откъснали се от атомите на метала. И свободните електрони, и положителните йони, получени след като атомите са се лишили от тях, участват в хаотичното движение. Когато в метала се създаде електрично поле, насочено започват да се движат само електроните, докато йоните продължават да трептят около възлите на металната решетка.

Същността на свръхпроводимостта е в рязко намаляване до пълно изчезване на съпротивление на един проводник при понижаване на температурата му под една критична стойност.

Използването на свръхпроводници при пренос на електроенергия би намалило загубите, защото при липсата на съпротивление (R = 0) в тях не се отделя джаулева топлина (Q = RIt).

Токови носители в електролитите се образуват в резултат на процеса електролитна дисоциация. Този процес се дължи на хаотичното движение на градивните частици на течността: енергиите на някои от тях може да се окажат достатъчно големи, така че при удар неутралните молекули да се разпаднат на положителни и отрицателни йони.

Концентрацията на токовите носители зависи от вида на разтворителя и от концентрацията на разтвора, но когато тези фактори са фиксирани, тя зависи от температурата: с повишаване на температурата расте кинетичната енергия на хаотичното движение и по-голям брой молекули се разпадат на йони за единица време при удари помежду си.

При повишаване на температурата концентрацията на токовите носители в електролитите расте, а това предизвиква намаляване на съпротивлението им.

Ток в газове може да протече, при условие че в тях се появят токови носители – електрони и йони.

Токови носители в газовете са електрони и положителни йони.

Токови носители в газ възникват, когато една молекула погълне енергия, достатъчна за откъсване на електрон от нея. Това може да стане под въздействие на йонизираща причина, при достатъчно висока температура, при наличие на силно електрично поле, което да ускори достатъчно появили се по някаква причина токови носители така, че те да придобият енергия, достатъчна за йонизиране на други молекули.

Йонизиращи причини са ултравиолетовите и рентгеновите лъчи, както и лъченията, изпускани при радиоактивните разпадания на атомните ядра.

Приложенията на газовия разряд са разнообразни. Волтовата дъга се използва за рязане и заваряване на метали и като източник на светлина. Нискотемпературното светене при газов разряд в разредени газове намира приложение в осветителни тела, рекламни тръби и др.

Названието полупроводник произтича от факта, че специфичното съпротивление на полупроводниците е по-голямо от това на проводниците, но по-малко от специфичното съпротивление на диелектриците (което в идеалния случай е нула).

Най-характерно свойство на полупроводниците е силната зависимост на тяхното съпротивление от фактори като наличие и концентрация на примеси, температура, осветление и др.

Собствената проводимост на полупроводниците се дължи на свободни електрони и дупки в тях, чиито концентрации са равни, защото на всеки освободен електрон съответства некомпенсиран положителен заряд – дупка.

Съпротивлението на металите расте с повишаване на температурата, защото при по-висока температура се увеличава средната скорост на хаотичното движение на градивните частици, ударите на свободните електрони зачестяват и така дрейфовата им скорост намалява. И понеже повишаването на температурата практически не влияе върху концентрацията на токовите носители, съпротивлението на метала расте.
Зачестяване на ударите с повишаване на температурата съществува и при полупроводниците, но при тях намаляването на съпротивлението се определя от друг преобладаващ процес: повишаването на температурата предизвиква силно увеличаване на концентрацията на токовите носители.

Примесната n-проводимост се дължи на електрони, откъснати от примесни атоми в един полупроводник при ударите между градивните частици на образеца. Оставащият след освобождаването положителен йон не участва в проводимостта, защото е свързан с кристалната решетка.

Примесната р-проводимост се дължи на дупки, получени след като в резултат на ударите при хаотичното трептене на градивните частици електрон от един примесен атом премине към атом на полупроводника. Полученият отрицателен йон не участва в насоченото движение, защото е свързан с кристалната решетка.

Йоните на примесните атоми не участват в протичането на тока, защото са свързани в кристалната решетка и могат да извършват само хаотични трептения.

Контактното електрично поле в един р-n-преход възниква, тъй като при хаотичното си движение някои електрони от n-областта преминават в р-областта, рекомбинират с дупки и там се получава некомпенсиран отрицателен заряд. По подобен начин при хаотичното си движение някои дупки от р-областта преминават в n-областта и рекомбинират с електрони, като там остава некомпенсиран положителен заряд. Некомпенсираните заряди създават в прехода електрично поле с посока от n-областта към р-областта.

Голямото съпротивление на р-n-прехода се дължи на факта, че вследствие на рекомбинацията между електрони и дупки от двете страни на прехода концентрацията на токовите носители намалява значително.

Еднопосочната проводимост на р-n-прехода се дължи на контактното електрично поле. Когато посоката на външното електрично поле е противоположна на посоката на контактното поле (т.е. – когато преходът е включен в пропускаща посока), под въздействие на външното поле дупки от р-областта и електрони от n-областта навлизат в прехода. В резултат широчината на обеднения на токови носители слой, а заедно с това и съпротивлението му намаляват.
Когато посоките на външното и на контактното електрично поле съвпадат, общото поле в р-n-прехода се увеличава, увеличава се и широчината на обеднения на токови носители слой, а заедно с това – и съпротивлението на прехода.

Първата прилика между трите среди е, че при абсолютната нула те са диелектрици. Втората прилика е, че над абсолютната нула поради хаотичното движение на градивните частици се появяват токови носители, което е и причината за зависимостта на проводимостта от температурата. Разликите започват от характера на тази зависимост. Докато при електролитите и полупроводниците и при стайна температура енергията на хаотичното движение е достатъчна за образуване на токови носители, за газовете са необходими много по-високи температури (стотици и хиляди градуси). Разликата между електролитите и полупроводниците е в това, че проводимостта на полупроводниците зависи много повече от температурата, отколкото на електролитите. Проводимостта на полупроводниците зависи силно и от фактори като наличие на примеси, осветеност и т.н. За газовете пък е характерно, че в тях необходимата за поява на токови носители енергия може да се достави от йонизираща причина.